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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SC5337-QS-A
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2SC5337-QS-A

更新时间： 2024-09-25 13:04:19
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 61K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.25A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, POWER, MINIMOLD PACKAGE-4

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2SC5337-QS-A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：POWER, MINIMOLD PACKAGE-4Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.61其他特性：LOW NOISE
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.25 A
集电极-发射极最大电压：15 V配置：SINGLE
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN BISMUTH
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SC5337-QS-A 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET  
Silicon Transistor  
2SC5337  
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER  
DESCRIPTION  
The 2SC5337 is a high-frequency transistor designed for a low distortion and low noise amplifier on the VHF to  
UHF band, which is suitable for the CATV, tele-communication, and such.  
FEATURES  
PACKAGE DIMENSIONS  
(in millimeters)  
•
Low distortion  
IM2 = 59 dB TYP. @VCE = 10 V, IC = 50 mA  
IM3 = 82 dB TYP. @VCE = 10 V, IC = 50 mA  
4.5±0.1  
1.6±0.2  
1.5±0.1  
•
Low noise  
NF = 1.5 dB TYP. @VCE = 10 V, IC = 10 mA, f = 1 GHz  
•
New power mini-mold package version of a 4-pin type  
C
B
gain-improved on the 2SC3356  
E
E
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
0.42  
±0.06  
0.42  
±0.06  
0.25±0.02  
Parameter  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
Unit  
V
1.5  
3.0  
0.46  
±0.06  
30  
15  
V
3.0  
V
250  
mA  
W
PIN CONNECTIONS  
E: Emitter  
C: Collector  
B: Base  
Note1  
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PT  
2.0  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
–65 to +150  
2
Note 1  
×
. 0.7 mm 16 cm double sided ceramic substrate (Copper plaiting)  
Document No. P10939EJ1V0DS00 (1st edition)  
Date Published April 1996 P  
Printed in Japan  
©
1996  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5337QS-AZ RENESAS

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 		TRANSISTOR,BJT,NPN,15V V(BR)CEO,250MA I(C),TO-243
2SC5337QS-T1 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 250MA I(C) | TO-243
2SC5337QS-T1-AZ RENESAS

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 		TRANSISTOR,BJT,NPN,15V V(BR)CEO,250MA I(C),TO-243
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2SC5337-T1-A NEC

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