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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | POWER, MINIMOLD PACKAGE-4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.62 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.15 A |
| 基于收集器的最大容量： | 2 pF | 集电极-发射极最大电压： | 12 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e6 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 6000 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5338SF-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,12V V(BR)CEO,150MA I(C),TO-243VAR |
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| 2SC5338SF-T1 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TO-243VAR |
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| 2SC5338SH | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TO-243VAR |
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| 2SC5338-SH | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC5338-SH-A | NEC |
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暂无描述 |
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| 2SC5338SH-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,12V V(BR)CEO,150MA I(C),TO-243VAR |
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| 2SC5338SH-T1 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 150MA I(C) | TO-243VAR |
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| 2SC5338-T1 | RENESAS |
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NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER |
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| 2SC5338-T1 | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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| 2SC5338-T1-A | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili |
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