Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SC5337-AZ

2SC5337-AZ

更新时间： 2024-11-20 12:33:15

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	104K
描述
NPN Silicon RF Transistor for High-Frequency

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC5337-AZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.25 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	60
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

2SC5337-AZ 数据手册

Preliminary Data Sheet

2SC5337

NPN Silicon RF Transistor for High-Frequency

Low Distortion Amplifier 4-Pin Power Minimold

R09DS0047EJ0300

Rev.3.00

Sep 14, 2012

FEATURES

•

Low distortion: IM2 = 59.0 dB TYP., IM3 = 82.0 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 50 mA

Low noise

NF = 1.5 dB TYP. @ V^CE= 10 V, IC = 50 mA, f = 500 MHz

NF = 2.0 dB TYP. @ V^CE= 10 V, IC = 50 mA, f = 1 GHz

4-pin power minimold package with improved gain from the 2SC4536

•

<R>

ORDERING INFORMATION

Part Number

2SC5337

Order Number

2SC5337-AZ

Package

Quantity

25 pcs (Non reel)

1 kpcs/reel

Supplying Form

4-pin power

minimold

(Pb-Free) ^Note

• Magazine case

• 12 mm wide embossed taping

• Collector face the perforation side of the tape

2SC5337-T1

2SC5337-T1-AZ

Note Contains Lead in the part except the electrode terminals.

Remark To order evaluation samples, please contact your nearby sales office.

Unit sample quantity is 25 pcs.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = +25°C)

Parameter

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

Ratings

Unit

3.0

250

Note

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Ptot

2.0

150

°C

Tstg

−65 to +150

Note Mounted on 16 cm²× 0.7 mm (t) ceramic substrate (Copper plating)

CAUTION

Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.

The mark <R> shows major revised points.

The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.

R09DS0047EJ0300 Rev.3.00

Sep 14, 2012

Page 1 of 5

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与2SC5337-AZ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5337QQ	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 250MA I(C) \| TO-243
2SC5337-QQ	NEC	获取价格	暂无描述
2SC5337-QQ-A	NEC	获取价格	暂无描述
2SC5337QQ-AZ	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SC5337QQ-T1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 250MA I(C) \| TO-243
2SC5337QR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 250MA I(C) \| TO-243
2SC5337-QR	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.25A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC5337-QR-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.25A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SC5337QR-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,15V V(BR)CEO,250MA I(C),TO-243
2SC5337QR-T1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 15V V(BR)CEO \| 250MA I(C) \| TO-243

与2SC5337-AZ相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

25
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

17
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC5337-AZ

2SC5337-AZ 技术参数

2SC5337-AZ 数据手册

与2SC5337-AZ相关器件

与2SC5337-AZ相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC5337-AZ

2SC5337-AZ 技术参数

2SC5337-AZ 数据手册

与2SC5337-AZ相关器件

与2SC5337-AZ相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？