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2SC5336RF

更新时间： 2024-01-08 13:55:12

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其他 - ETC		晶体晶体管
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8页	49K
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TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-243

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2SC5336RF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	POWER, MINIMOLD PACKAGE-4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	0.8 pF
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	6500 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5336RF 数据手册

DATA SHEET

NPN SILICON RF TRANSISTOR

2SC5336

NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR

HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER

4-PIN POWER MINIMOLD

FEATURES

•

High gain:

21e ²= 12 dB TYP. @ V^CE= 10 V, I^C= 20 mA, f = 1 GHz

4-pin power minimold package with improved gain from the 2SC3357

ORDERING INFORMATION

Part Number

Quantity

Supplying Form

2SC5336

25 pcs (Non reel)

1 kpcs/reel

• Magazine case

2SC5336-T1

• 12 mm wide embossed taping

• Collector face the perforation side of the tape

Remark To order evaluation samples, consult your NEC sales representative.

Unit sample quantity is 25 pcs.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= +25°C)

Parameter

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Ratings

Unit

3.0

100

tot ^Note

1.2

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

T^j

150

°C

T^stg

−65 to +150

Note Mounted on 16 cm²× 0.7 mm (t) ceramic substrate (Copper plating)

Because this product uses high-frequency technology, avoid excessive static electricity, etc.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. P10938EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published August 2001 NS CP(K)

The mark • shows major revised points.

1996, 2001

Printed in Japan

12 3 4 5 6 7 8

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与2SC5336RF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5336-RF	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC5336-RF	RENESAS	获取价格	UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD PACKAGE-4
2SC5336-RF-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC5336RF-T1	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,12V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-243
2SC5336RH	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-243
2SC5336-RH	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SC5336-RH	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC5336-RH-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC5336RH-T1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-243
2SC5336-T1	RENESAS	获取价格	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER

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