2SC5335T

更新时间： 2024-10-30 12:59:35

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
2页	41K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MT2, 3 PIN

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2SC5335T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.7 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5335T 数据手册

Transistor

2SC5335(Tentative)

Silicon NPN epitaxial planer type

For low-frequency output amplification

Unit: mm

2.5±0.1

1.05

±0.05

6.9±0.1

4.0

(1.45)

0.8

0.7

Features

High foward current transfer ratio h_FE

■

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

0.65 max.

0.45⁺–0⁰.^.0¹5

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

2.5±0.5 2.5±0.5

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

Note: In addition to the

lead type shown in

1:Emitter

2:Collector

1.5

the upper figure, the 3:Base

I_C

0.7

type as shown in

the lower figure is

also available.

MT2 Type Package

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

1.0

˚C

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

Printed circuit board: Copper foil area of 1cm²or more, and the board

thickness of 1.7mm for the collector portion

1.2±0.1

0.65

max.

0.1

0.45_–0.05

(HW type)

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

V_CB= 20V, I_E= 0

V_CE= 20V, I_B= 0

_C= 10µA, I_E= 0

min

typ

max

Unit

µA

Collector cutoff current

I_CEO

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C= 1mA, I_B= 0

I_E= 10µA, I_C= 0

Forward current transfer ratio

h_FE

_CE= 10V, I_C= 150mA

400

2000

0.4

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

I_C= 500mA, I_B= 50mA

0.15

200

MHz

Transition frequency

f_T

V_CB= 10V, I_E= –10mA, f = 200MHz

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

Collector output capacitance

C_ob

Rank classification

Rank

h_FE

400 ~ 800 600 ~ 1200 1000 ~ 2000

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5336	NEC	获取价格	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
2SC5336	RENESAS	获取价格	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
2SC5336(NE856M02)	ETC	获取价格	Discrete
2SC5336-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC5336-A	RENESAS	获取价格	RF & Microwave device
2SC5336RE	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 12V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-243
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2SC5336-RE-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
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