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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SC5336-RF-A
2SC5336-RF-A PDF预览

2SC5336-RF-A

更新时间： 2024-01-09 12:14:50
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 51K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, POWER, MINIMOLD PACKAGE-4

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2SC5336-RF-A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：POWER, MINIMOLD PACKAGE-4Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.61外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.1 A基于收集器的最大容量：0.8 pF
集电极-发射极最大电压：12 V配置：SINGLE
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN BISMUTH
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：6500 MHz
Base Number Matches：1

2SC5336-RF-A 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET  
Silicon Transistor  
2SC5336  
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER  
FEATURES  
PACKAGE DIMENSIONS  
•
High gain  
| S21  
2 = 12 dB TYP, @f = 1 GHz, VCE = 10 V, Ic = 20 mA  
(in millimeters)  
|
4.5±0.1  
•
New power mini-mold package version of a 4-pin type  
gain-improved on the 2SC3357  
1.6±0.2  
1.5±0.1  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)  
C
B
Parameter  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
Unit  
V
E
E
20  
12  
V
0.42  
±0.06  
0.42  
±0.06  
3.0  
V
0.25±0.02  
100  
mA  
W
1.5  
3.0  
0.46  
±0.06  
Note1  
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PT  
1.2  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
–65 to +150  
PIN CONNECTIONS  
E: Emitter  
C: Collector  
B: Base  
2
Note 1  
×
. 0.7 mm 16 cm double sided ceramic substrate (Copper plating)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C)  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
Symbol  
ICB0  
IEB0  
hFE  
Test Conditions  
VCB = 10 V, IE = 0  
MIN.  
50  
TYP.  
MAX.  
1.0  
Unit  
µA  
VEB = 1 V, IC = 0  
1.0  
µA  
VCE = 10 V, IC = 20 mANote2  
120  
6.5  
250  
Gain Bandwidth Product  
Feed-back Capacitance  
Insertion Power Gain  
Noise Figure  
fT  
VCE = 10 V, IC = 20 mA  
GHz  
pF  
Cre  
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1.0 MHzNote3  
VCE = 10 V, IC = 20 mA, f = 1.0 GHz  
VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1.0 GHz  
VCE = 10 V, IC = 40 mA, f = 1.0 GHz  
0.5  
0.8  
2
| S21e  
NF  
|
12.0  
1.1  
dB  
dB  
Noise Figure  
NF  
1.8  
3.0  
dB  
Notes 2  
3
≤
µ
≤
. Pulse measurement : PW 350 S, Duty Cycle 2 %  
. Mesured by a 3-terminal bridge. Emitter and Case should be connected to the guard terminal.  
hFE Classification  
Rank  
Marking  
hFE  
RH  
RH  
RF  
RF  
RE  
RE  
50 to 100  
80 to 160  
125 to  
250  
Document No. P10938EJ1V0DS00 (1st edition)  
Date Published April 1996 P  
Printed in Japan  
©
1996  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5336RF-T1 RENESAS

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 		TRANSISTOR,BJT,NPN,12V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-243
2SC5336RH ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-243
2SC5336-RH RENESAS

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 		暂无描述
2SC5336-RH NEC

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC5336-RH-A NEC

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
2SC5336RH-T1 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-243
2SC5336-T1 RENESAS

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 		NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
2SC5336-T1 NEC

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
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2SC5336-T1RE NEC

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