Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SC5178-FB

2SC5178-FB

更新时间： 2024-11-18 13:04:19

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体晶体管微波
页数	文件大小	规格书
12页	83K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD, SC-61, 4 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC5178-FB 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-61
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
其他特性：	LOW NOISE	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.01 A	基于收集器的最大容量：	0.5 pF
集电极-发射极最大电压：	3 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	70	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	13500 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5178-FB 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC5178

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN 4-PIN MINI-MOLD PACKAGE

FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION

FEATURES

•

Low current consumption and high gain

|S^21e|²= 11.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz

|S21e|²= 10.5 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz

4-pin Mini-Mold package

PACKAGE DIMENSIONS

(Units: mm)

2.8⁺^–0⁰^.^.³²

1.5⁺^–0⁰^.^.¹²

•

EIAJ: SC-61

ORDERING INFORMATION

PART

QUANTITY

NUMBER

ARRANGEMENT

2SC5178-T1

3000 units/reel

Embossed tape, 8 mm wide, pins

No. 3 (base) and No. 4 (emitter) facing

the perforations

5°

2SC5178-T2

3000 units/reel

Embossed tape, 8 mm wide, pins

No. 1 (collector) and No. 2 (emitter)

facing the perforations

Contact your NEC sales representatives to order samples for

evaluation (available in batches of 50).

PIN CONNECTIONS

1. Collector

2. Emitter

3. Base

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

4. Emitter

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

VCBO

VCEO

V^EBO

°C

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

T^j

150

Tstg

–65 to +150

CAUTION; This transistor uses high-frequency technology. Be careful not to allow excessive current to flow through the transistor, including static electricity.

Document No. P12102EJ2V0DS00 (2nd edition)

(Previous No. TC-2475)

Date Published November 1996 N

Printed in Japan

1994

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与2SC5178-FB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5178R	NEC	获取价格	暂无描述
2SC5178R-T1	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD
2SC5178R-T2	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD
2SC5178R-T2	RENESAS	获取价格	L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MINIMOLD PACKAGE-4
2SC5178T1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 3V V(BR)CEO \| 10MA I(C) \| SOT-143R
2SC5178-T1	NEC	获取价格	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN 4-PIN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIF
2SC5178-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD,
2SC5178-T2	NEC	获取价格	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN 4-PIN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIF
2SC5178-T2FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC,
2SC5179	NEC	获取价格	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN SMALL MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIF

与2SC5178-FB相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

36

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC5178-FB

2SC5178-FB 技术参数

2SC5178-FB 数据手册

与2SC5178-FB相关器件

与2SC5178-FB相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC5178-FB

2SC5178-FB 技术参数

2SC5178-FB 数据手册

与2SC5178-FB相关器件

与2SC5178-FB相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？