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2SC5178R-T2

更新时间： 2024-11-18 14:46:23

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	80K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD PACKAGE-4

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2SC5178R-T2 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	MINIMOLD PACKAGE-4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.01 A	基于收集器的最大容量：	0.5 pF
集电极-发射极最大电压：	3 V	配置：	SINGLE
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	13500 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5178R-T2 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC5178R

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN 4-PIN MINI-MOLD PACKAGE

FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION

FEATURES

PACKAGE DRAWINGS

(Units: mm)

Low current consumption and high gain

•

| S²¹| = 11.5 dB TYP. @VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz

2.8–⁺0⁰.^.3²

| S²¹| = 10.5 dB TYP. @VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz

1.5–⁺0⁰.^.1²

4-pin Mini-Mold package

•

SOT-143 style (Pins for overseas use are assigned to the 2SC5178.)

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

2SC5178R-T1

QUANTITY

ARRANGEMENT

3000 units/reel

Embossed tape, 8 mm wide, pins

No. 3 (emitter) and No. 4 (base)

facing the perforations

5°

2SC5178R-T2

3000 units/reel

Embossed tape, 8 mm wide, pins

No. 1 (emitter) and No. 2 (collector)

facing the perforations

Remark Contact your NEC sales representatives to order samples for

evaluation (available in batches of 50).

Electrode assignment

1. Emitter

2. Collector

3. Emitter

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

PARAMETER

Collector-to-base voltage

Collector-to-emitter voltage

Emitter-to-base voltage

Collector current

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

RATING

UNIT

4. Base

°C

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

Tstg

–65 to +150

°C

This transistor uses high-frequency technology. Be careful not to allow excessive

current to flow through the transistor, including static electricity.

DocumentNo. TC-2519

(O. D. No. TC-8075)

Date Published April 1995 P

Printed in Japan

1995

12 3 4 5 6 7 8

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与2SC5178R-T2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5178T1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 3V V(BR)CEO \| 10MA I(C) \| SOT-143R
2SC5178-T1	NEC	获取价格	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN 4-PIN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIF
2SC5178-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD,
2SC5178-T2	NEC	获取价格	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN 4-PIN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIF
2SC5178-T2FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC,
2SC5179	NEC	获取价格	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN SMALL MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIF
2SC5179-FB	NEC	获取价格	暂无描述
2SC5179T1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 3V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| SC-70
2SC5179-T1	NEC	获取价格	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN SMALL MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIF
2SC5179-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD,

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