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2SC5180-T2FB-A

更新时间： 2024-02-22 08:22:03

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器 ISM频段光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	46K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, SUPERMINI-4

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2SC5180-T2FB-A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.01 A	基于收集器的最大容量：	0.5 pF
集电极-发射极最大电压：	3 V	配置：	SINGLE
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e6	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	15500 MHz

2SC5180-T2FB-A 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC5180

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN SUPER MINI-MOLD PACKAGE

FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION

FEATURES

PACKAGE DIMENSIONS

• Low current consumption and high gain

S^{21e 2}= 12 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz

S21e ²= 11 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz

• Supper Mini-Mold package

(Units : mm)

2.1 ± 0.2

1.25 ± 0.1

ORDERING INFORMATION

PART

NUMBER

QUANTITY

ARRANGEMENT

Embossed tape, 8 mm wide, pins No. 3

(base) and No. 4 (emitter) facing the

perforations

2SC5180–T1

3 000 units/reel

Embossed tape, 8 mm wide, pins No. 1

(collector) and No. 2 (emitter) facing the

perforations

2SC5180–T2

* Contact your NEC sales representatives to order samples for evaluation (available

in batches of 50).

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

VCBO

VCEO

VEBO

I^C

PIN CONNECTIONS

°C

1. Collector

2. Emitter

3. Base

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

150

4. Emitter

T^stg

–65 to +150

Caution;

This transistor uses high-frequency technology. Be careful not to allow excessive current to flow through the transistor, including static electricity.

Document No. P12104EJ2V0DS00 (2nd edition)

(Previous No. TC-2477)

Date Published December 1996 N

Printed in Japan

1994

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5181	NEC	获取价格	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN ULTRA SUPER MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE
2SC5181(NE68619)	ETC	获取价格	Discrete
2SC5181FB	NEC	获取价格	暂无描述
2SC5181-FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUP
2SC5181FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUP
2SC5181T1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 3V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| SOT-416
2SC5181-T1	NEC	获取价格	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN ULTRA SUPER MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE
2SC5181-T1FB	NEC	获取价格	暂无描述
2SC5181-T1-FB	RENESAS	获取价格	RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5181-T1FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUP

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