2SC5183

更新时间： 2024-11-20 22:52:43

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日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	62K
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN 4-PIN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION

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2SC5183 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	基于收集器的最大容量：	0.8 pF
集电极-发射极最大电压：	3 V	配置：	SINGLE
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	10000 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5183 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC5183

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN 4-PIN MINI-MOLD

PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION

FEATURES

PACKAGE DIMENSIONS

•

Low Noise

(Units: mm)

NF = 1.3 dB ^TYP.@ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

NF = 1.3 dB ^TYP.@ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

4-pin Mini-Mold package

+0.2

2.8

–0.3

+0.2

1.5

–0.1

EIAJ: SC-61

ORDERING INFORMATION

PART

QUANTITY

NUMBER

ARRANGEMENT

2SC5183-T1

Embossed tape, 8 mm wide,

5˚

Pin No. 3 (base) and No. 4 (emitter)

facing the perforations

3 000 units/reel

2SC5183-T2

Embossed tape, 8 mm wide,

Pins No. 1 (collector) and No. 2

(emitter) facing the perforations

PIN CONNECTIONS

* Contact your NEC sales representatives to order samples for

1. Collector

2. Emitter

3. Base

evaluation (available in batches of 50).

4. Emitter

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

VCBO

VCEO

VEBO

I^C

˚C

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

150

T^stg

–65 to +150

˚C

Caution; This transistor uses high-frequency technology. Be careful not to allow excessive current to flow through the transistor, including static electricity.

Document No. P12107EJ2V0DS00 (2nd edition)

(Previous No. TC-2480)

Date Published November 1996 N

Printed in Japan

1994

12 3 4 5 6 7...12

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与2SC5183相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC518383R	NEC	获取价格	SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
2SC5183-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD,
2SC5183R	ETC	获取价格	BJT
2SC5183R-T1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 3V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| SOT-143
2SC5183R-T2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 3V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| SOT-143
2SC5183T1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 3V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| SOT-143R
2SC5183-T1	NEC	获取价格	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN 4-PIN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIF
2SC5183-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, MINIMOLD,
2SC5183-T2	NEC	获取价格	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN 4-PIN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIF
2SC5183-T2FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC,

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