Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SC5185-T1

2SC5185-T1

更新时间： 2024-11-24 22:18:51

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
12页	62K
描述
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN SUPER MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC5185-T1 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SUPER MINIMOLD PACKAGE-4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.67
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	基于收集器的最大容量：	0.6 pF
集电极-发射极最大电压：	3 V	配置：	SINGLE
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	13000 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5185-T1 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC5185

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN SUPER MINI-MOLD PACKAGE

FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION

FEATURES

PACKAGE DIMENSIONS

•

Low Noise

(Units: mm)

NF = 1.3 dB ^TYP.@ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

NF = 1.3 dB ^TYP.@ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz

Super Mini-Mold package

2.1± 0.2

•

1.25 ± 0.1

ORDERING INFORMATION

PART

QUANTITY

NUMBER

ARRANGEMENT

2SC5185-T1

Embossed tape, 8 mm wide,

pins No. 3 (base), and No. 4

(emitter) facing the perforations

3 000 units/reel

2SC5185-T2

Embossed tape, 8 mm wide,

pins No. 1 (collector) and No. 2

(emitter) facing the perforations

* Contact your NEC sales representative to order samples for

evaluation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

VCBO

V^CEO

VEBO

PIN CONNECTIONS

1. Collector

2. Emitter

3. Base

°C

4. Emitter

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

P^T

150

Tstg

–65 to +150

Caution; This transistor uses high-frequency technology. Be careful not to allow excessive current to flow through the transistor, including static electricity.

Document No. P12109EJ2V0DS00 (2nd edition)

(Previous No. TC-2482)

Date Published November 1996 N

Printed in Japan

1994

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与2SC5185-T1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5185-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN,
2SC5185-T1FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC,
2SC5185-T2	NEC	获取价格	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN SUPER MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIF
2SC5185-T2FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC,
2SC5186	NEC	获取价格	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN ULTRA SUPER MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE
2SC5186(NE68719)	ETC	获取价格	Discrete
2SC5186FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN,
2SC5186-FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUP
2SC5186-FB-A	NEC	获取价格	暂无描述
2SC5186-T1	NEC	获取价格	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN ULTRA SUPER MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE

与2SC5185-T1相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

40
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

32
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

60
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

56

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC5185-T1

2SC5185-T1 技术参数

2SC5185-T1 数据手册

与2SC5185-T1相关器件

与2SC5185-T1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SC5185-T1

2SC5185-T1 技术参数

2SC5185-T1 数据手册

与2SC5185-T1相关器件

与2SC5185-T1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？