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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> 2SC5184-FB
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2SC5184-FB

更新时间： 2024-11-21 13:02:39
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 60K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, SUPER MINIMOLD, SC-70, 3 PIN

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2SC5184-FB 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.84
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.03 A
基于收集器的最大容量：0.8 pF集电极-发射极最大电压：3 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：70
最高频带：L BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：11000 MHz
Base Number Matches：1

2SC5184-FB 数据手册

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DATA SHEET  
SILICON TRANSISTOR  
2SC5184  
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN SUPER MINI-MOLD  
PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION  
FEATURES  
PACKAGE DIMENSIONS  
•
•
•
•
Low Noise  
(Units: mm)  
NF = 1.3 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz  
NF = 1.3 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz  
Super Mini-Mold package  
2.1 ± 0.1  
1.25 ± 0.1  
EIAJ: SC-70  
ORDERING INFORMATION  
2
PART  
3
QUANTITY  
NUMBER  
ARRANGEMENT  
1
2SC5184-T1  
3 000 units/reel  
Embossed tape, 8 mm wide,  
Pin No. 3 (collector)  
Marking  
facing the perforations  
2SC5184-T2  
3 000 units/reel  
Embossed tape, 8 mm wide,  
Pins No. 1 (emitter) and No. 2 (base)  
facing the perforations  
Remark: Contact your NEC sales representative to order samples for  
evaluation (available in batches of 50).  
PIN CONNECTIONS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)  
1. Emitter  
2. Base  
3. Collector  
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
5
V
V
3
2
V
30  
90  
mA  
mW  
˚C  
Total Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
PT  
Tj  
150  
Tstg  
–65 to +150  
˚C  
Caution; This transistor uses high-frequency technology. Be careful not to allow excessive current to flow through the transistor, including static electricity.  
Document No. P12108EJ2V0DS00 (2nd edition)  
(Previous No. TC-2481)  
Date Published November 1996 N  
Printed in Japan  
1994  
©
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC5184T1 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 3V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-323
2SC5184-T1 NEC

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 		NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN SUPER MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIF
2SC5184-T1 RENESAS

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 		L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD, SC-70, 3 PIN
2SC5184-T1FB NEC

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC,
2SC5184-T2 NEC

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 		NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN SUPER MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIF
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