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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC5181-T1 | NEC |
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN ULTRA SUPER MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE |
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| 2SC5181-T1FB | NEC |
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暂无描述 |
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| 2SC5181-T1-FB | RENESAS |
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RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC5181-T1FB-A | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, ULTRA SUP |
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| 2SC5182 | NEC |
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NPS EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATIO |
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| 2SC5182-FB | NEC |
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暂无描述 |
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| 2SC5182T1 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 3V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-236AB |
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| 2SC5182-T1 | NEC |
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NPS EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATIO |
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| 2SC5182-T1FB | NEC |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC, |
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| 2SC5182-T2 | NEC |
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NPS EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATIO |
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