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2SC5180FB

更新时间： 2024-11-18 19:56:03

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	57K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, SUPER MINIMOLD PACKAGE-4

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2SC5180FB 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SUPER MINIMOLD PACKAGE-4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.67
最大集电极电流 (IC)：	0.01 A	基于收集器的最大容量：	0.5 pF
集电极-发射极最大电压：	3 V	配置：	SINGLE
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	15500 MHz	Base Number Matches：	1

2SC5180FB 数据手册

DATA SHEET

NPN SILICON RF TRANSISTOR

2SC5180

NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR

FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

4-PIN SUPER MINIMOLD

FEATURES

•

Low current consumption and high gain

S^21e²= 12 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz

S^21e²= 11 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz

4-pin super minimold Package

•

ORDERING INFORMATION

Part Number

Quantity

Supplying Form

2SC5180

50 pcs (Non reel)

3 kpcs/reel

• 8 mm wide embossed taping

• Pin 3 (Base), Pin 4 (Emitter) face to perforation side of the tape

2SC5180-T1

Remark To order evaluation samples, contact your nearby sales office.

The unit sample quantity is 50 pcs.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = +25°C)

Parameter

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

Ratings

Unit

°C

Note

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Ptot

150

−65 to +150

Tstg

Note Free air

Caution Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that

this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC Compound Semiconductor Devices

representative for availability and additional information.

Document No. PU10517EJ01V0DS (1st edition)

(Previous No. P12104EJ2V0DS00)

Date Published August 2004 CP(K)

The mark shows major revised points.

NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd. 1994 , 2004

Printed in Japan

12 3 4 5 6 7

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与2SC5180FB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5180T1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 3V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| SOT-343R
2SC5180-T1	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, SUPER MINIMOLD PA
2SC5180-T1	RENESAS	获取价格	Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-4
2SC5180-T1-A	RENESAS	获取价格	2SC5180-T1-A
2SC5180-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC,
2SC5180-T1-FB	RENESAS	获取价格	L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-4
2SC5180-T1FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC,
2SC5180-T2FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC,
2SC5180-T2FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC,
2SC5181	NEC	获取价格	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN ULTRA SUPER MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE

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