2SC5180

更新时间： 2024-11-17 22:40:03

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日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波光电二极管放大器
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN SUPER MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION

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2SC5180 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.67	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.01 A
基于收集器的最大容量：	0.5 pF	集电极-发射极最大电压：	3 V
配置：	SINGLE	最高频带：	C BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	15500 MHz
Base Number Matches：	1

2SC5180 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

2SC5180

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN SUPER MINI-MOLD PACKAGE

FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION

FEATURES

PACKAGE DIMENSIONS

• Low current consumption and high gain

S^{21e 2}= 12 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 2 GHz

S21e ²= 11 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz

• Supper Mini-Mold package

(Units : mm)

2.1 ± 0.2

1.25 ± 0.1

ORDERING INFORMATION

PART

NUMBER

QUANTITY

ARRANGEMENT

Embossed tape, 8 mm wide, pins No. 3

(base) and No. 4 (emitter) facing the

perforations

2SC5180–T1

3 000 units/reel

Embossed tape, 8 mm wide, pins No. 1

(collector) and No. 2 (emitter) facing the

perforations

2SC5180–T2

* Contact your NEC sales representatives to order samples for evaluation (available

in batches of 50).

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

VCBO

VCEO

VEBO

I^C

PIN CONNECTIONS

°C

1. Collector

2. Emitter

3. Base

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

150

4. Emitter

T^stg

–65 to +150

Caution;

This transistor uses high-frequency technology. Be careful not to allow excessive current to flow through the transistor, including static electricity.

Document No. P12104EJ2V0DS00 (2nd edition)

(Previous No. TC-2477)

Date Published December 1996 N

Printed in Japan

1994

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC5180(NE68618)	ETC	获取价格	Discrete
2SC5180FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, SUPER MIN
2SC5180T1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 3V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| SOT-343R
2SC5180-T1	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, SUPER MINIMOLD PA
2SC5180-T1	RENESAS	获取价格	Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-4
2SC5180-T1-A	RENESAS	获取价格	2SC5180-T1-A
2SC5180-T1FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC,
2SC5180-T1-FB	RENESAS	获取价格	L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SUPER MINIMOLD PACKAGE-4
2SC5180-T1FB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC,
2SC5180-T2FB	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.01A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, PLASTIC,

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