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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.81 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 120 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2562 | TOSHIBA |
类似代替  |
SILICON NPN EXPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) |
|
| 2SC1847 | PANASONIC |
功能相似 |
Silicon NPN epitaxial planar type |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SC3258O | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, BIP General Purpose Power |
|
| 2SC3258Y | ISC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SC3263 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistor |
|
| 2SC3263 | SANKEN |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor(Audio and General Purpose) |
|
| 2SC3263 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2SC3263 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 230V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
|
| 2SC3263_07 | SANKEN |
获取价格 |
Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor |
|
| 2SC3263O | ISC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SC3263R | SANKEN |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
|
| 2SC3263Y | ISC |
获取价格 |
Transistor |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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