2SC3263

更新时间： 2024-12-01 07:30:39

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	99K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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2SC3263 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC3263

DESCRIPTION

·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-

V_(BR)CEO= 230V(Min)

·Good Linearity of h_FE

·Complement to Type 2SA1294

APPLICATIONS

·Designed for audio and general purpose applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

230

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

I_B

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

130

150

-55~150

℃

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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