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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SC3263R
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2SC3263R

更新时间： 2024-12-01 13:01:35
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 27K
描述
Power Bipolar Transistor,

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2SC3263R 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.7峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

2SC3263R 数据手册

  
LAP T 2 S C3 2 6 3  
Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SA1294)  
Application : Audio and General Purpose  
■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
External Dimensions MT-100(TO3P)  
Symbol  
ICBO  
2SC3263  
2SC3263  
Unit  
Symbol  
Conditions  
Unit  
µA  
µA  
V
±0.2  
4.8  
±0.4  
15.6  
±0.1  
100max  
100max  
230min  
50min  
230  
V
VCB=230V  
2.0  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
9.6  
IEBO  
230  
V
VEB=5V  
V(BR)CEO  
hFE  
5
V
IC=25mA  
a
±0.1  
ø3.2  
VCE=4V, IC=5A  
IC=5A, IB=0.5A  
VCE=12V, IE=–2A  
VCB=10V, f=1MHz  
15  
4
A
b
VCE(sat)  
fT  
2.0max  
60typ  
IB  
V
MHz  
pF  
A
PC  
130(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
2
3
COB  
250typ  
Tj  
+0.2  
-0.1  
+0.2  
-0.1  
Tstg  
hFE Rank O(50 to 100), Y(70 to 140)  
–55 to +150  
1.05  
0.65  
1.4  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
±0.1  
±0.1  
5.45  
5.45  
B
C
E
Weight : Approx 6.0g  
a. Type No.  
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(mA)  
IB2  
(mA)  
ton  
(µs)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
b. Lot No.  
60  
12  
5
10  
–5  
500  
–500  
0.30typ  
2.40typ 0.50typ  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
15  
15  
10  
3
2
10  
1
5
5
0
IC=10A  
IB=20mA  
5A  
0
0
0
1
2
3
4
0
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
0
1
2
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(A)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=4V)  
(VCE=4V)  
3
200  
200  
125˚C  
100  
100  
50  
25˚C  
Typ  
1
–30˚C  
50  
0.5  
10  
0.02  
10  
0.02  
0.1  
1
10  
100  
Time t(ms)  
1000 2000  
0.1  
0.5  
1
5
10 15  
0.1  
0.5  
1
5
10 15  
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=12V)  
130  
100  
100  
80  
40  
10  
5
Typ  
60  
40  
20  
0
1
50  
0.5  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
Without Heatsink  
3.5  
0
0.1  
3
–0.02  
–0.1  
–1  
–10  
10  
100  
300  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
Emitter Current IE(A)  
63  
1

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