Datasheet > 2SC3264

2SC3264

更新时间： 2024-02-19 23:36:22

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	108K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SC3264 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82

2SC3264 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC3264

DESCRIPTION

·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-

V_(BR)CEO= 230V(Min)

·Good Linearity of h_FE

·Complement to Type 2SA1295

APPLICATIONS

·Designed for audio and general purpose applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

230

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-Continuous

I_B

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

200

150

-55~150

℃

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

下载PDF

与2SC3264相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SC3264_07	SANKEN	Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor	获取价格
2SC3264O	ALLEGRO	Power Bipolar Transistor, 17A I(C), 230V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,	获取价格
2SC3264Y	ALLEGRO	Power Bipolar Transistor, 17A I(C), 230V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,	获取价格
2SC3265	WINNERJOIN	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR	获取价格
2SC3265	TYSEMI	High DC current gain: hFE (1) = 100320. Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.4 V (max)	获取价格
2SC3265	KEXIN	Silicon NPN Epitaxial	获取价格