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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SC3264
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2SC3264

更新时间： 2024-11-09 12:54:55
品牌 Logo 应用领域
急速微 - ALLEGRO 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 33K
描述
Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor

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2SC3264 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：8.65最大集电极电流 (IC)：17 A
集电极-发射极最大电压：230 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：50JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：200 W
最大功率耗散 (Abs)：200 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：60 MHzVCEsat-Max：2 V
Base Number Matches：1

2SC3264 数据手册

  
LAP T 2 S C3 2 6 4  
Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SA1295)  
Application : Audio and General Purpose  
External Dimensions MT-200  
(Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
■Absolute maximum ratings  
(Ta=25°C)  
Ratings  
Symbol  
ICBO  
Ratings  
100max  
100max  
230min  
50min  
Conditions  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Unit  
µA  
µA  
V
Unit  
±0.2  
6.0  
±0.3  
36.4  
230  
VCB=230V  
V
±0.2  
24.4  
2.1  
±0.1  
2-ø3.2  
IEBO  
230  
VEB=5V  
9
V
V(BR)CEO  
hFE  
5
IC=25mA  
V
VCE=4V, IC=5A  
IC=5A, IB=0.5A  
VCE=12V, IE=–2A  
VCB=10V, f=1MHz  
17  
5
A
a
b
VCE(sat)  
fT  
2.0max  
60typ  
IB  
V
MHz  
pF  
A
PC  
200(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
2
COB  
250typ  
Tj  
3
+0.2  
-0.1  
0.65  
+0.2  
1.05  
-0.1  
Tstg  
–55 to +150  
hFE Rank O(50 to 100), Y(70 to 140)  
+0.3  
-0.1  
3.0  
±0.1  
±0.1  
5.45  
5.45  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
B
C
E
Weight : Approx 18.4g  
a. Part No.  
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(A)  
IB2  
(A)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
ton  
(µs)  
b. Lot No.  
60  
12  
5
10  
–5  
0.5  
–0.5  
2.40typ 0.50typ  
0.30typ  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=4V)  
17  
15  
3
17  
15  
10  
5
2
10  
1
IC=10A  
5
0
50mA  
IB=20mA  
5A  
0
0
0
1
2
3
4
0
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
0
1
2
3
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(A)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
j-a t Characteristics  
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
(VCE=4V)  
(VCE=4V)  
3
200  
100  
50  
200  
125˚C  
100  
25˚C  
Typ  
1
–30˚C  
50  
0.5  
10  
10  
0.02  
0.1  
1
10  
100  
Time t(ms)  
1000 2000  
0.1  
0.5  
1
5
10 17  
0.02  
0.1  
0.5  
1
5
10 17  
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=12V)  
40  
100  
80  
200  
160  
120  
80  
10  
5
Typ  
60  
40  
1
0.5  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
20  
0
40  
Without Heatsink  
5
0
0.1  
3
10  
100  
300  
–0.02  
–0.1  
–1  
–10  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Emitter Current IE(A)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
65  
1

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2SC3264 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SC3264 SANKEN

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