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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SC3265-Y,LF(T
2SC3265-Y,LF(T PDF预览

2SC3265-Y,LF(T

更新时间： 2024-12-01 13:04:15
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关
页数 文件大小 规格书
3页 84K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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2SC3265-Y,LF(T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.67
最大集电极电流 (IC)：0.8 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：160
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzBase Number Matches：1

2SC3265-Y,LF(T 数据手册

 浏览型号2SC3265-Y,LF(T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SC3265-Y,LF(T的Datasheet PDF文件第3页 
                                                        
                                                        
                                                                     
                                                                     
2SC3265  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)  
2SC3265  
Low Frequency Power Amplifier Applications  
Unit: mm  
Power Switching Applications  
·
·
High DC current gain: h  
= 100~320  
CE (sat)  
FE (1)  
Low saturation voltage: V  
= 0.4 V (max)  
(I = 500 mA, I = 20 mA)  
Complementary to 2SA1298  
C
B
·
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
30  
25  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
5
V
I
800  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Base current  
I
160  
B
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
200  
C
JEDEC  
JEITA  
TO-236MOD  
T
150  
j
SC-59  
T
-55~150  
stg  
TOSHIBA  
2-3F1A  
Weight: 0.012 g (typ.)  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Collector cut-off current  
I
V
V
= 30 V, I = 0  
¾
¾
25  
5
¾
¾
¾
¾
0.1  
0.1  
¾
mA  
mA  
V
CBO  
CB  
EB  
E
Emitter cut-off current  
I
= 5 V, I = 0  
C
EBO  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
V
V
I
I
= 10 mA, I = 0  
B
(BR) CEO  
(BR) EBO  
C
E
= 0.1 mA, I = 0  
¾
V
C
h
FE (1)  
V
V
= 1 V, I = 100 mA  
100  
¾
320  
CE  
C
DC current gain  
(Note)  
h
= 1 V, I = 800 mA  
40  
¾
¾
¾
¾
0.4  
0.8  
¾
FE (2)  
CE  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter voltage  
V
I
= 500 mA, I = 20 mA  
V
V
CE (sat)  
C
B
V
V
V
V
= 1 V, I = 10 mA  
0.5  
¾
¾
BE  
CE  
CE  
CB  
C
Transition frequency  
f
= 5 V, I = 10 mA  
120  
13  
MHz  
pF  
T
C
Collector output capacitance  
C
= 10 V, I = 0, f = 1 MHz  
¾
¾
ob  
E
Note: h  
classification O: 100~200, Y: 160~320  
FE (1)  
Marking  
1
2003-03-25  
123

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与2SC3265-Y,LF(T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SC3265YTE85L TOSHIBA

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 		Low Frequency Power Amplifier Applications Power Switching Applications
2SC3265YTE85R TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 800 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma
2SC3265-Y-TP-HF MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SC3266 TOSHIBA

获取价格

 		NPN EPITAXIAL TYPE (POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS)
2SC3266 SWST

获取价格

 		小信号晶体管
2SC3266_03 TOSHIBA

获取价格

 		Power Amplifier Applications Power Switching Applications
2SC3266BL ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-92
2SC3266-BL TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 2000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, 2-5F1B, SC-43, 3 PIN, B
2SC3266GR ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-92
2SC3266Y ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-92

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