2SC3265-Y

更新时间： 2024-01-22 15:28:19

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美微科 - MCC		晶体放大器晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	319K
描述
NPN General Purpose Amplifier

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2SC3265-Y 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N	湿度敏感等级：	1
峰值回流温度（摄氏度）：	260	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

2SC3265-Y 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

2SC3265-O

2SC3265-Y

Micro Commercial Components

Features

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

NPN General

Purpose Amplifier

Power switching application

Complementary to 2SA1298

Low frequency power amplifier application

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

Maximum Ratings

SOT-23

Symbol

Rating

Unit

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

5.0

0.8

Collector Current, Continuous

P_D

T_J

T_STG

Power Dissipation

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

0.2

-55 to +150

^OC

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Type

Max

Units

V_(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage*

(I_C=10mAdc, I_B=0)

Vdc

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=0.1mAdc, I_E=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

(I_E=0.1mAdc, I_C=0)

Collector cut-off Current

(V_CB=30Vdc, I_E=0

Emitter cut-off Current

(V_EB=5Vdc, I_C=0

Vdc

DIMENSIONS

5.0

INCHES

MIN

DIM

MAX

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

0.1

uAdc

c^BO

I_EBO

h_FE

0.1

DC Current Gain

(I_C=100mAdc, V_CE=1.0Vdc)

.0005

.035

.003

.015

100

320

.085

.37

V_CE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=500mAdc, I_B=20mAdc)

0.5

Vdc

Suggested Solder

Pad Layout

V_BE

f_T

Base-Emitter Voltage

(I_C=10mAdc, V_CE=1Vdc)

0.5

0.8

Vdc

.031

.800

Transition Frequency

(I_C=10mAdc, V_CE=5Vdc,f=100MHz)

.035

.900

120

MHz

Collector output capacitance

(I_E=0, V_CB=10Vdc,f=1MHz)

.079

2.000

inches

CLASSIFICATION OF hFE(1)

.037

.950

100-200

ank

.037

.950

160-320

ange

MARKING

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: A

2011/01/01

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SC3265-Y(T5L,PP,F	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC3265-Y(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 800 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, S-MINI, SC-59, TO-236MO
2SC3265-Y,LF(T	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SC3265YTE85L	TOSHIBA	获取价格	Low Frequency Power Amplifier Applications Power Switching Applications
2SC3265YTE85R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 800 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Sma
2SC3265-Y-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SC3266	TOSHIBA	获取价格	NPN EPITAXIAL TYPE (POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS)
2SC3266	SWST	获取价格	小信号晶体管
2SC3266_03	TOSHIBA	获取价格	Power Amplifier Applications Power Switching Applications
2SC3266BL	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-92

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