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2SB1260-P-T PDF预览

2SB1260-P-T

更新时间： 2024-09-15 21:16:35
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
2页 77K
描述
Transistor

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2SB1260-P-T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

2SB1260-P-T 数据手册

 浏览型号2SB1260-P-T的Datasheet PDF文件第2页 
2SB1260  
2SB1260-P  
2SB1260-Q  
2SB1260-R  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
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$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
PNP  
x
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
Plastic-Encapsulate  
•
•
•
•
Power dissipation: PCM = 0.5W(Tamb=25?)  
Transistors  
Collector current: ICM = -1A  
Collector-base voltage: V(BR)CBO = -80V  
Operating and storage junction temperature range  
TJ, Tstg: -55? to + 150?  
SOT-89  
Electrical Characteristics @ 25R Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=-1mA, IB=0)  
Min  
-80  
Typ  
---  
Max  
Unit  
V
---  
V
(BR)CEO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
A
V
-80  
---  
(BR)CBO  
V
V
---  
---  
---  
---  
---  
K
(IC=-50IA, IE=0)  
B
Emitter-Base Breakdown Voltage  
V
(BR)EBO  
-5.0  
---  
---  
(IE=-50IA, IC=0)  
Collector cut-off Current  
(VCB=-60V, IE=0)  
E
ICBO  
IEBO  
hFE  
-1.0  
-1.0  
390  
uA  
uA  
---  
C
Emitter cut-off Current  
(VEB=-4V, IC=0)  
DC current gain  
---  
D
G
H
82  
J
(VCE=-3V, IC=-0.1A)  
F
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-0.5A, IB=-0.05A)  
Transition Frequency  
(VCE=-5.0Vdc, IC=-0.05Adc,F=30MHZ)  
VCE(sat)  
fT  
V
---  
---  
-0.4  
---  
---  
80  
MHZ  
B
C
E
CLASSIFICATION OF hFE  
Rank  
Range  
Marking  
P
Q
R
82-180  
120-270  
180-390  
ZL  
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www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: 3  
2007/03/01  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1260PT100 ROHM

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