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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SB1260-R
2SB1260-R PDF预览

2SB1260-R

更新时间： 2024-09-16 07:30:03
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 183K
描述
PNP Plastic-Encapsulate Transistors

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2SB1260-R 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.61
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：180
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
Base Number Matches：1

2SB1260-R 数据手册

 浏览型号2SB1260-R的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
2SB1260-P  
2SB1260-Q  
2SB1260-R  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
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TM  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
PNP  
·
·
•
•
•
•
Plastic-Encapsulate  
Moisure Sensitivity Level 1  
Power dissipation: PCM = 0.5W(Tamb=25?)  
Transistors  
Collector current: ICM = -1A  
Collector-base voltage: V(BR)CBO = -80V  
Operating and storage junction temperature range  
TJ, Tstg: -55? to + 150?  
SOT-89  
Electrical Characteristics @ 25R Unless Otherwise Specified  
A
K
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=-1mA, IB=0)  
Min  
-80  
Typ  
---  
Max  
Unit  
B
V
---  
V
(BR)CEO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
V
-80  
---  
(BR)CBO  
V
V
---  
---  
---  
---  
---  
(IC=-50IA, IE=0)  
E
Emitter-Base Breakdown Voltage  
C
V
(BR)EBO  
-5.0  
---  
---  
(IE=-50IA, IC=0)  
Collector cut-off Current  
(VCB=-60V, IE=0)  
D
ICBO  
IEBO  
hFE  
-1.0  
-1.0  
390  
uA  
uA  
---  
G
H
Emitter cut-off Current  
(VEB=-4V, IC=0)  
DC current gain  
---  
J
F
82  
(VCE=-3V, IC=-0.1A)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-0.5A, IB=-0.05A)  
Transition Frequency  
(VCE=-5.0Vdc, IC=-0.05Adc,F=30MHZ)  
VCE(sat)  
fT  
V
---  
---  
-0.4  
---  
---  
80  
MHZ  
B
C
E
1
2
3
1.Base  
2.Collector  
3.Emitter  
CLASSIFICATION OF hFE  
Rank  
Range  
Marking  
P
Q
R
82-180  
120-270  
180-390  
ZL  
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4.25  
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www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: A  
2011/01/01  
12

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