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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1260T101P | ROHM |
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1000mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SB1260T101Q | ROHM |
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1000mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SB1260TLP | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SB1260TLQ | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SB1260TLR | ROHM |
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暂无描述 |
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| 2SB1260U | SWST |
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小信号晶体管 |
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| 2SB1260-X-AB3-R | UTC |
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POWER TRANSISTOR |
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| 2SB1260-X-TN3-R | UTC |
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POWER TRANSISTOR |
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| 2SB1260-X-TN3-T | UTC |
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POWER TRANSISTOR |
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| 2SB1261 | LGE |
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双极型晶体管 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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