是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.61 |
最大集电极电流 (IC): | 3 A | 配置: | Single |
最小直流电流增益 (hFE): | 100 | 最高工作温度: | 150 °C |
极性/信道类型: | PNP | 最大功率耗散 (Abs): | 10 W |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SB1261R | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
60V,3A,Medium Power PNP Bipolar Transistor | |
2SB1261R-HAF | SWST |
获取价格 |
功率三极管 | |
2SB1261-Z | NEC |
获取价格 |
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 | |
2SB1261-Z | RENESAS |
获取价格 |
SILICON POWER TRANSISTOR | |
2SB1261-Z | KEXIN |
获取价格 |
PNP Silicon Epitaxial Transistor | |
2SB1261-Z | TRSYS |
获取价格 |
Plastic-Encapsulate Transistors | |
2SB1261-Z | TYSEMI |
获取价格 |
Low VCE(sat): VCE(sat) -0.3V. High hFE. Collector to base voltage VCBO -60 V | |
2SB1261-Z | CJ |
获取价格 |
TO-251 | |
2SB1261-Z_15 | KEXIN |
获取价格 |
PNP Transistors | |
2SB1261-ZK | ETC |
获取价格 |
BJT |