5秒后页面跳转
2SB1261-Z PDF预览

2SB1261-Z

更新时间: 2024-11-17 22:34:27
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体小信号双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
6页 298K
描述
PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3

2SB1261-Z 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.25Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):50 MHz最大关闭时间(toff):2500 ns
最大开启时间(吨):500 nsBase Number Matches:1

2SB1261-Z 数据手册

 浏览型号2SB1261-Z的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1261-Z的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SB1261-Z的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SB1261-Z的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SB1261-Z的Datasheet PDF文件第6页