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2SB1261-Z

更新时间： 2024-11-18 06:23:03

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科信 - KEXIN		晶体晶体管开关
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PNP Silicon Epitaxial Transistor

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2SB1261-Z 数据手册

SMD Type

Transistors

PNP Silicon Epitaxial Transistor

2SB1261-Z

TO-252

Unit: mm

6.50^+0.15

-0.15

2.30^+0.1

-0.1

5.30^+0.2

0.50^+0.8

-0.7

-0.2

Features

Low VCE(sat): VCE(sat) -0.3V.

High hFE.

0.127

max

0.80^+0.1

-0.1

0.60^+0.1

2.3

4.60^+0.15

-0.1

1 Base

-0.15

2 Collector

3 Emitter

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

Unit

-60

-7

-3

-5

Collector current pulse *1

Base current

I^CP

I^B

-0.5

2 *2

Total power dissipation

P^T

Junction temperature

T^j

150

Storage temperature range

Tstg

-55 to +150

*1 PW 10ms,duty cycle 50%.

*2 When mounted on ceramic substrate of 7.5cm²X0.7mm

www.kexin.com.cn

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