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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.57 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码： | e2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN COPPER |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1260TLQ | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SB1260TLR | ROHM |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SB1260U | SWST |
获取价格 |
小信号晶体管 |
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| 2SB1260-X-AB3-R | UTC |
获取价格 |
POWER TRANSISTOR |
|
| 2SB1260-X-TN3-R | UTC |
获取价格 |
POWER TRANSISTOR |
|
| 2SB1260-X-TN3-T | UTC |
获取价格 |
POWER TRANSISTOR |
|
| 2SB1261 | LGE |
获取价格 |
双极型晶体管 |
|
| 2SB1261 | CJ |
获取价格 |
TO-252-2L |
|
| 2SB1261 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
60V,3A,Medium Power PNP Bipolar Transistor |
|
| 2SB1261 | JSMC |
获取价格 |
DPAK |
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