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2SB1260U

更新时间： 2023-12-06 20:11:14

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先科 - SWST		晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	1160K
描述
小信号晶体管

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2SB1260U 数据手册

2SB1260U

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

Applications

• For power amplification applications

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25

)

Parameter

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

0.5

P_tot

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

250

Unit

Thermal Resistance - Junction to Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated: 28/03/2023 Rev: 03

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