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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1261M-Z-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,3A I(C),TO-252 |
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| 2SB1261M-Z-E1-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,3A I(C),TO-252 |
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| 2SB1261M-Z-E2-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,3A I(C),TO-252 |
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| 2SB1261R | BL Galaxy Electrical |
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60V,3A,Medium Power PNP Bipolar Transistor |
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| 2SB1261R-HAF | SWST |
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功率三极管 |
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| 2SB1261-Z | NEC |
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PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 |
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| 2SB1261-Z | RENESAS |
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SILICON POWER TRANSISTOR |
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| 2SB1261-Z | KEXIN |
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PNP Silicon Epitaxial Transistor |
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| 2SB1261-Z | TRSYS |
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Plastic-Encapsulate Transistors |
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| 2SB1261-Z | TYSEMI |
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Low VCE(sat): VCE(sat) -0.3V. High hFE. Collector to base voltage VCBO -60 V |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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