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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.42 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 2500 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 500 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SB1261K-Z-AZ | RENESAS | TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,3A I(C),TO-252 |
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| 2SB1261L | ETC | BJT |
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| 2SB1261L-Z | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-252VAR |
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| 2SB1261L-Z-AZ | RENESAS | TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,3A I(C),TO-252 |
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| 2SB1261L-Z-E1-AZ | RENESAS | TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,3A I(C),TO-252 |
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| 2SB1261L-Z-E2-AZ | RENESAS | TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,3A I(C),TO-252 |
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