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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.59 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN COPPER |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1260TLP | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| 2SB1260TLQ | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SB1260TLR | ROHM |
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暂无描述 |
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| 2SB1260U | SWST |
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小信号晶体管 |
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| 2SB1260-X-AB3-R | UTC |
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POWER TRANSISTOR |
|
| 2SB1260-X-TN3-R | UTC |
获取价格 |
POWER TRANSISTOR |
|
| 2SB1260-X-TN3-T | UTC |
获取价格 |
POWER TRANSISTOR |
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| 2SB1261 | LGE |
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双极型晶体管 |
|
| 2SB1261 | CJ |
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TO-252-2L |
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| 2SB1261 | BL Galaxy Electrical |
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60V,3A,Medium Power PNP Bipolar Transistor |
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