5秒后页面跳转
2SB1260T100/PR PDF预览

2SB1260T100/PR

更新时间: 2024-11-07 07:38:15
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 117K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

2SB1260T100/PR 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.32外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):82
JESD-30 代码:R-PSSO-F3JESD-609代码:e2
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN COPPER
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON

2SB1260T100/PR 数据手册

 浏览型号2SB1260T100/PR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1260T100/PR的Datasheet PDF文件第3页 

与2SB1260T100/PR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1260T100/Q ROHM

获取价格

暂无描述
2SB1260T100/QR ROHM

获取价格

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1260T100/R ROHM

获取价格

1A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1260T100Q ROHM

获取价格

Power Transistor (−80V, −1A)
2SB1260T100R ROHM

获取价格

Power Transistor (−80V, −1A)
2SB1260T101/PQ ROHM

获取价格

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1260T101/PR ROHM

获取价格

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1260T101/QR ROHM

获取价格

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1260T101P ROHM

获取价格

1000mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1260T101Q ROHM

获取价格

1000mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR