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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SB1260T100/R
2SB1260T100/R PDF预览

2SB1260T100/R

更新时间： 2024-11-18 13:04:11
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
3页 92K
描述
1A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR

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2SB1260T100/R 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.57
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：180
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e2
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN COPPER端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SB1260T100/R 数据手册

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Power Transistor (−80V, −1A)  
2SB1260 / 2SB1181  
Features  
Dimensions (Unit : mm)  
1) Hight breakdown voltage and high current.  
BVCEO= −80V, IC = −1A  
2) Good hFE linearty.  
3) Low VCE(sat).  
4) Complements the 2SD1898 / 2SD1733.  
2SB1260  
2SB1181  
+
0.2  
2.3  
6.5 0.2  
0.2  
C0.5  
+
5.1  
+0.2  
4.5  
0.5 0.1  
1.5  
1.6 0.1  
0.65 0.1  
0.75  
(1) (2) (3)  
0.9  
+0.1  
0.4  
0.55 0.1  
1.0 0.2  
0.5 0.1  
3.0 0.2  
2.3 0.2 2.3 0.2  
0.4 0.1  
1.5 0.1  
0.4 0.1  
1.5 0.1  
Structure  
Epitaxial planar type  
PNP silicon transistor  
(1) (2) (3)  
(1) Base  
(2) Collector  
(3) Emitter  
(1) Base  
(2) Collector  
(3) Emitter  
ROHM : CPT3  
EIAJ : SC-63  
ROHM : MPT3  
EIAJ : SC-62  
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
−80  
−80  
−5  
−1  
−2  
0.5  
2
V
V
V
I
C
A (DC)  
Collector current  
∗1  
∗2  
I
CP  
A (Pulse)  
2SB1260  
W
Collector power  
dissipation  
PC  
2SB1181  
2SB1181  
1
10  
150  
W (Tc=25°C  
)
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
1 2SB1260 : Pw=20ms duty=1/2  
2 2SB1260 : When mounted on a 40  
∗
×40×0.7 mm ceramic board.  
∗
Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
−
Max.  
Unit  
Conditions  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
−80  
−80  
−5  
−
−
−
V
V
V
I
I
I
C
= −50  
= −1mA  
= −50  
μ
A
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
−
C
−
−
E
μ
A
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−1  
−1  
−0.4  
390  
−
μA  
V
CB= −60V  
EB= −4V  
I
−
−
μA  
V
Emitter cutoff current  
V
−
−
V
I
C
/I  
B
= −500mA/ −50mA  
= −0.1A  
=50mA, f=100MHz  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
h
120  
−
−
−
MHz  
pF  
V
CE= −3V, I  
C
Transition frequency 2SB1181  
fT  
100  
20  
25  
V
CE= −10V, I  
CB= −10V  
E
V
2SB1260  
−
−
Output capacitance  
Cob  
I
E
=0A  
2SB1181  
−
−
pF  
f=1MHz  
www.rohm.com  
2012.01 - Rev.G  
1/2  
c
○ 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
123

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