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2SB1260-R-AB3-F-R

更新时间： 2024-11-18 21:07:19

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Transistor

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2SB1260-R-AB3-F-R 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.69
最大集电极电流 (IC)：	1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	82	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1260-R-AB3-F-R 数据手册

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

2SB1260

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

POWER TRANSISTOR

ꢀ

DESCRIPTION

The UTC 2SB1260 is a epitaxial planar type PNP silicon

transistor.

SOT-89

TO-252

ꢀ FEATURES

*High breakdown voltage and high current.

BV_CEO= -80V, I_C= -1A

*Good h_FElinearity.

*Low V_CE(SAT)

*Pb-free plating product number: 2SB1260L

ꢀ ORDERING INFORMATION

Order Number

Pin Assignment

Packing

Package

Normal

Lead Free Plating

2SB1260-x-AB3-F-R

2SB1260-x-TN3-F-R

2SB1260-x-TN3-F-T

2SB1260L-x-AB3-F-R

2SB1260L-x-TN3-F-R

2SB1260L-x-TN3-F-T

SOT-89

TO-252

Tape Reel

Tube

2SB1260L-x-AB3-F-R

(1)Packing Type

(2)Pin Assignment

(3)Package Type

(1) B: Tape Box, K: Bulk, R: Tape Reel

(2) refer to Pin Assignment

(3) AB3: SOT-89, TN3: TO-252

(4) refer to Classification of h^FE

(5) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn

(4)Rank

(5)Lead Plating

www.unisonic.com.tw

1 of 4

QW-R208-017,C

12 3 4

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