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2SB1260-R-TN3-R

更新时间： 2024-09-16 02:52:35

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友顺 - UTC		晶体晶体管功率双极晶体管
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POWER TRANSISTOR

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2SB1260-R-TN3-R 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	TO-252, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.09
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	180	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

2SB1260-R-TN3-R 数据手册

Transys

Electronics

I M I T E D

SOT-89 Plastic-Encapsulated Transistors

2SB1260

TRANSISTOR (PNP)

SOT-89

FEATURES

1. BASE

Power dissipation

P_CM:

Collector current

I_CM:

0.5

-1

W (Tamb=25℃)

2. COLLECTOR

3. EMITTER

Collector-base voltage

V_(BR)CBO

-80

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

Ic=-50µA , I_E=0

MIN

-80

-5

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C= -1mA , I_B=0

I_E=-50µA, I_C=0

V_CB=-60 V , I_E=0

V_EB=-4 V , I_C=0

-1

µA

I_EBO

Emitter cut-off current

h_FE

DC current gain

_CE=-3V, I_C= -0.1A

390

-0.4

V_CE(sat)

I_C=-500 mA, I_B= -50mA

V_CE= -5V, I_C=- 50mA

Collector-emitter saturation voltage

MHz

Transition frequency

f _T

f = 30MHz

CLASSIFICATION OF h^FE

Rank

Range

82-180

120-270

180-390

Marking

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