5秒后页面跳转
2SB1260R PDF预览

2SB1260R

更新时间: 2024-11-06 20:55:19
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM /
页数 文件大小 规格书
3页 109K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

2SB1260R 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Not RecommendedReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.36
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):180
JESD-30 代码:R-PSSO-F3JESD-609代码:e2
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:TIN COPPER
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SB1260R 数据手册

 浏览型号2SB1260R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1260R的Datasheet PDF文件第3页 

与2SB1260R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1260-R MCC

获取价格

PNP Plastic-Encapsulate Transistors
2SB1260-R-AB3-B UTC

获取价格

POWER TRANSISTOR
2SB1260-R-AB3-F-R UTC

获取价格

Transistor
2SB1260-R-AB3-K UTC

获取价格

POWER TRANSISTOR
2SB1260-R-AB3-R UTC

获取价格

POWER TRANSISTOR
2SB1260R-G WEITRON

获取价格

Transistor
2SB1260R-G UTC

获取价格

Transistor
2SB1260-R-T MCC

获取价格

Transistor
2SB1260-R-TN3-B UTC

获取价格

POWER TRANSISTOR
2SB1260-R-TN3-F-R UTC

获取价格

Transistor