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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.36 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 180 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN COPPER |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1260-R | MCC |
获取价格 |
PNP Plastic-Encapsulate Transistors |
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| 2SB1260-R-AB3-B | UTC |
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POWER TRANSISTOR |
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| 2SB1260-R-AB3-F-R | UTC |
获取价格 |
Transistor |
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| 2SB1260-R-AB3-K | UTC |
获取价格 |
POWER TRANSISTOR |
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| 2SB1260-R-AB3-R | UTC |
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POWER TRANSISTOR |
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| 2SB1260R-G | WEITRON |
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Transistor |
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| 2SB1260R-G | UTC |
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Transistor |
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| 2SB1260-R-T | MCC |
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Transistor |
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| 2SB1260-R-TN3-B | UTC |
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POWER TRANSISTOR |
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| 2SB1260-R-TN3-F-R | UTC |
获取价格 |
Transistor |
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