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2SB1188T100PQ

更新时间： 2024-01-12 05:22:17

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	119K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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2SB1188T100PQ 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.61
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	32 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	82	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e2	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	2 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	VCEsat-Max：	0.8 V
Base Number Matches：	1

2SB1188T100PQ 数据手册

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与2SB1188T100PQ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1188T100Q	LITTELFUSE	获取价格	Medium power transistor (ï32V, ï2A)
2SB1188T100Q	ROHM	获取价格	Medium power transistor (32V, 2A)
2SB1188T100QR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1188T100R	ROHM	获取价格	Medium power transistor (32V, 2A)
2SB1188T101	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1188T101/P	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1188T101/PQ	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1188T101/PR	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1188T101/Q	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1188T101P	ROHM	获取价格	2000mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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