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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.59 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 32 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN COPPER |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1188U | SWST |
获取价格 |
功率三极管 |
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| 2SB1188-X-AB3-R | UTC |
获取价格 |
MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR |
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| 2SB1188-X-AB3-R | TRSYS |
获取价格 |
MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR |
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| 2SB1189 | TYSEMI |
获取价格 |
High breakdown voltage, BVCEO=-80V, and high current, IC=-0.7A. |
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| 2SB1189 | ROHM |
获取价格 |
MEDIUM POWER TRANSISTOR |
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| 2SB1189 | HTSEMI |
获取价格 |
TRANSISTOR(PNP) |
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| 2SB1189 | KEXIN |
获取价格 |
Medium Power Transistor |
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| 2SB1189 | LGE |
获取价格 |
双极型晶体管 |
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| 2SB1189 | CJ |
获取价格 |
SOT-89-3L |
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| 2SB1189 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
80V,0.7A,General Purpose PNP Bipolar Transistor |
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