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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SB1189R
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2SB1189R

更新时间： 2024-02-04 13:12:45
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 55K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SC-62

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2SB1189R 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.68
最大集电极电流 (IC)：0.7 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：180
JESD-30 代码：R-PSSO-F3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

2SB1189R 数据手册

  
2SB1189 / 2SB1238  
Transistors  
Medium power transistor (−80V, −0.7A)  
2SB1189 / 2SB1238  
!External dimensions (Units : mm)  
!Features  
1) High breakdown voltage, BVCEO=−80V, and  
high current, IC=−0.7A.  
2SB1189  
4.0  
1.0  
2.5  
0.5  
2) Complements the 2SD1767 / 2SD1859.  
( )  
1
(
)
2
3
(
)
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
−80  
−80  
−5  
−0.7  
0.5  
V
V
I
C
A
ROHM : MPT3  
EIAJ : SC-62  
(1) Base  
(2) Collector  
(3) Emitter  
2SB1189  
2SB1238  
Collector power  
dissipation  
P
C
2
W
∗1  
∗2  
1
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55~+150  
2SB1238  
∗1 When mounted on a 40×40×0.7 mm ceramic board.  
2.5  
∗2 Printed circuit board 1.7 mm thick, collector plating 1cm2 or larger.  
6.8  
!Packaging specifications and hFE  
0.65Max.  
Type  
2SB1189  
2SB1238  
ATV  
PQR  
−
Package  
MPT3  
0.5  
hFE  
PQR  
( )  
( ) ( )  
1
2 3  
Marking  
Code  
BD  
∗
2.54 2.54  
1.05  
0.45  
T100  
1000  
TV2  
Basic ordering unit (pieces)  
Denotes hFE  
2500  
Taping specifications  
∗
ROHM : ATV  
(1) Emitter  
(2) Collector  
(3) Base  
!Electrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min.  
−80  
−80  
−5  
−
Typ.  
−
−
−
−
−
−0.2  
−
100  
14  
Max.  
Unit  
V
Conditions  
−
−
−
−0.5  
−0.5  
−0.4  
390  
−
I
I
I
C
=−50µA  
=−2mA  
V
C
V
E
=−50µA  
CB=−50V  
EB=−4V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
µA  
µA  
V
V
V
Emitter cutoff current  
I
−
−
Collector-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
I
C/I  
B
=−500mA/−50mA  
=−3V/−0.1A  
h
82  
−
−
MHz  
pF  
V
V
V
CE/I  
C
Transition frequency  
f
T
CE=−10V, I  
CB=−10V, I  
E
=50mA, f=100MHz  
=0A, f=1MHz  
Output capacitance  
Cob  
−
20  
E
1

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SB1189-R KEXIN PNP Transistors

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