2SB1190

更新时间： 2024-01-22 00:22:35

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	48K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB1190 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	60
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	1.4 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

2SB1190 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1190

DESCRIPTION

·With TO-220 package

·High V_CEO

·Large P_C

·Complement to type 2SD1772

APPLICATIONS

·Power amplifier

·TV vertical deflection output

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

V_CBO

Collector-base voltage

-200

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

-150

-6

Open collector

-1

I_CM

Collector current-peak

-2

T_a=25℃

T_C=25℃

1.4

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SB1190_15	JMNIC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2SB1190_2014	JMNIC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2SB1190A	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 180V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-220AB	获取价格
2SB1190AP	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 180V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-220AB	获取价格
2SB1190AQ	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 180V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-220AB	获取价格
2SB1190P	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 150V V(BR)CEO \| 1A I(C) \| TO-220AB	获取价格