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2SB1189-R

更新时间： 2022-02-26 12:28:38

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PNP Transistors

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2SB1189-R 数据手册

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SMD Type

Transistors

PNP Transistors

2SB1189

1.70 0.1

■ Features

● High breakdown voltage, BVCEO=-80V,

and High Current, I

C=-0.7A

● Complementary to 2SD1767

0.42 0.1

0.46 0.1

1.Base

2.Collector

3.Emitter

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Collector - Base Voltage

Symbol

Rating

-80

-80

-5

Unit

V

VCBO

VCEO

VEBO

Collector - Emitter Voltage

Emitter - Base Voltage

Collector Current - Continuous

I

C

-0.7

0.5

2

A

P

C

W

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

T

J

150

℃

Storage Temperature range

T

stg

-55 to 150

■ Electrical Characteristics Ta = 25℃

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

-80

-80

-5

Typ

Max

Unit

V

Collector- base breakdown voltage

Collector- emitter breakdown voltage

Emitter - base breakdown voltage

Collector-base cut-off current

Emitter cut-off current

VCBO

VCEO

VEBO

Ic= -100 μA， I

Ic= -2 mA, I =0

= -100μA， I

^CB= -60V , I =0

EB= -4V , I =0

E=0

B

I

E

C=0

I

CBO

EBO

V

V

E

-0.5

-0.5

-0.4

-1.2

390

20

uA

V

I

C

Collector-emitter saturation voltage

Base - emitter saturation voltage

DC current gain

V

CE(sat)

BE(sat)

I

I

C

=-500 mA, I

B

=-50mA

=-50mA

-0.2

V

C

=-500 mA, I

B

hFE

V

V

V

^CE= -3V, I

CB= -10V, I

CE= -5V, I

C

= -100 mA

= 0,f=1MHz

= 50mA,f=100MHz

120

Collector output capacitance

Transition frequency

C

ob

T

E

14

pF

f

E

100

MHz

■ Classification of hfe

Type

Range

Marking

2SB1189-Q

120-270

BD Q*

2SB1189-R

180-390

BD R*

1

www.kexin.com.cn

12

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与2SB1189-R相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SB1189T100/P	ROHM	0.7A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR	获取价格
2SB1189T100/PQ	ROHM	Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,	获取价格
2SB1189T100/PR	ROHM	Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,	获取价格
2SB1189T100/Q	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,	获取价格
2SB1189T100/QR	ROHM	Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,	获取价格
2SB1189T100P	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SC-62,	获取价格

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