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2SB1189T101/QR

更新时间: 2024-02-27 18:00:34
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 120K
描述
Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

2SB1189T101/QR 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.63Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.7 A
集电极-发射极最大电压:80 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):120JESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e2元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN COPPER
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
VCEsat-Max:0.4 VBase Number Matches:1

2SB1189T101/QR 数据手册

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