2SB1192

更新时间： 2024-02-13 12:25:47

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	129K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB1192 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	60
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

2SB1192 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1192

DESCRIPTION

·With TO-220Fa package

·High V_CEO

·Large P_C

·Complement to type 2SD1770

APPLICATIONS

·Power amplifier

·TV vertical deflection output

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

V_CBO

Collector-base voltage

-200

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

-150

Open collector

-6

-1

I_CM

Collector current-peak

-2

T_a=25℃

T_C=25℃

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3

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