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2SB1189

更新时间： 2024-02-15 00:57:02

品牌	Logo	应用领域
科信 - KEXIN		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	51K
描述
Medium Power Transistor

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2SB1189 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.68
最大集电极电流 (IC)：	0.7 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	180
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

2SB1189 数据手册

SMD Type

Transistors

Medium Power Transistor

2SB1189

Features

High breakdown voltage, BVCEO=-80V, and

high current, IC=-0.7A.

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base Voltage

Collector-emitter Voltage

Emitter-base Voltage

Collector current

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

-80

Unit

V

-80

V

-5

V

-0.7

A

Collector power dissipation

Jumction temperature

Storage temperature

P^C

0.5

W

T^j

150

Tstg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

BV^CBO

BV^CEOIC = -2mA

BV^EBO

I^CBO

Testconditons

Min

-80

-80

-5

Typ

Max

Unit

V

Collector-base breakdown voltae

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cutoff current

IC = -50

A

V

V

IE = -50

A

VCB = -50V

VEB = -4V

-0.5

-0.5

-0.4

390

ìA

ìA

V

Emitter cutoff current

I^EBO

Collector-Emitter Saturation Voltage

DC current transfer ratio

V^CE(sat)IC = -500mA , IB = -50mA

h^FEVCE = -3V , IC = -0.1A

f^T

-0.2

82

Transition frequency

VCE = -10V , IE = 50mA , f = 100MHz

VCB = -10V , IE = 0, f = 1MHz

100

14

MHz

pF

Output Capacitance

C^ob

20

hFE Classification

BD

Marking

Rank

P

Q

R

hFE

82 180

120 270

180 390

1

www.kexin.com.cn

1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SB1189_10	ROHM	Medium power transistor(-80V, -0.7A)	获取价格
2SB1189_15	KEXIN	PNP Transistors	获取价格
2SB1189P	ROHM	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 700MA I(C) \| SC-62	获取价格
2SB1189Q	ROHM	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 80V V(BR)CEO \| 700MA I(C) \| SC-62	获取价格
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