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2SB1189

更新时间: 2024-05-23 22:22:24
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蓝箭 - FOSHAN /
页数 文件大小 规格书
6页 1099K
描述
SOT-89

2SB1189 技术参数

生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.68
最大集电极电流 (IC):0.7 A集电极-发射极最大电压:80 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):180
JESD-30 代码:R-PSSO-F3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

2SB1189 数据手册

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2SB1189  
Rev.E Mar.-2016  
DATA SHEET  
描述 / Descriptions  
SOT-89 塑封封装 PNP 半导体三极管。Silicon PNP transistor in a SOT-89 Plastic Package.  

特征 / Features  
饱和压降低,与 2SD1767 互补。  
Low VCE(sat),complements the 2SD1767.  

用途 / Applications  
用于中功率放大。  
Medium power amplifier applications.  

内部等效电路 / Equivalent Circuit  
引脚排列 / Pinning  
1
2
3
PIN1Base  
PIN 2Collector  
PIN 3Emitter  
印章代码 / Marking  
hFE Classifications  
Symbol  
P
Q
R
82180  
HBDP  
120270  
HBDQ  
180390  
HBDR  
hFE Range  
Marking  
http://www.fsbrec.com  
1 / 6  

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