5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.59 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 32 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | JESD-609代码： | e2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN COPPER |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1188T101/P | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| 2SB1188T101/PQ | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| 2SB1188T101/PR | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| 2SB1188T101/Q | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| 2SB1188T101P | ROHM |
获取价格 |
2000mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| 2SB1188T101Q | ROHM |
获取价格 |
2000mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| 2SB1188U | SWST |
获取价格 |
功率三极管 |
|
| 2SB1188-X-AB3-R | UTC |
获取价格 |
MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR |
|
| 2SB1188-X-AB3-R | TRSYS |
获取价格 |
MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR |
|
| 2SB1189 | TYSEMI |
获取价格 |
High breakdown voltage, BVCEO=-80V, and high current, IC=-0.7A. |
|
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
湿度传感器：原理、选型、分类与特性
解读SBAT54SLT1G手册：产品概述、参数分析
MAX232DR资料：引脚说明、产品特性、电气参数
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
