Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SB1188T100QR

2SB1188T100QR

更新时间： 2024-02-10 08:22:11

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	175K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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2SB1188T100QR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-62	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	7.77	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	32 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	180	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e2	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	2 W
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	VCEsat-Max：	0.8 V
Base Number Matches：	1

2SB1188T100QR 数据手册

Medium power transistor (32V, 2A)

2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240

Features

Dimensions (Unit : mm)

1) Low V^CE(sat).

2SB1188

2SB1182

V^CE(sat)= 0.5V (Typ.)

(I^C/IB = 2A / 0.2A)

2) Complements the 2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862.

+0.2

2.3

6.5 0.2

+0.2

4.5

−

0.1

C0.5

−0.1

0.2

5.1

−0.1

1.5

0.5 0.1

1.6 0.1

−0.1

0.65 0.1

0.75

(1) (2) (3)

0.1

0.4

Structure

Epitaxial planar type

PNP silicon transistor

0.9

−0.05

0.55 0.1

1.0 0.2

0.5 0.1

3.0 0.2

0.4 0.1

1.5 0.1

0.4 0.1

1.5 0.1

2.3 0.2 2.3 0.2

(1) (2) (3)

(1) Base

ROHM : MPT3

EIAJ : SC-62

(2) Collector

(3) Emitter

ROHM : CPT3

EIAJ : SC-63

(2) Collector

(3) Emitter

Abbreviated symbol: BC

∗

2SB1240

2.5 0.2

6.8 0.2

0.65Max.

0.5 0.1

(1) (2)

2.54

(3)

2.54

1.05

0.45 0.1

(1) Emitter

(2) Collector

(3) Base

ROHM : ATV

Denotes hFE

∗

Absolute maximum ratings (Ta=25C)

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

Limits

−40

−32

−5

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

−2

A(DC)

A (Pulse)

Collector current

−3

∗

0.5

2SB1188

)

∗

Collector power

W (Tc=25°C

2SB1182

2SB1240

dissipation

∗

Junction temperature

Storage temperature

1 Single pulse, Pw=100ms

150

°C

Tstg

−55 to 150

∗

2 When mounted on a 40

×40×

0.7 mm ceramic board.

3 Printed circuit board, 1.7mm thick, collector copper plating 100mm²or larger.

www.rohm.com

2009.12 - Rev.B

1/3

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1188T100R	ROHM	获取价格	Medium power transistor (32V, 2A)
2SB1188T101	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1188T101/P	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1188T101/PQ	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1188T101/PR	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1188T101/Q	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1188T101P	ROHM	获取价格	2000mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1188T101Q	ROHM	获取价格	2000mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1188U	SWST	获取价格	功率三极管
2SB1188-X-AB3-R	UTC	获取价格	MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR

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