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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SA2154MFV-Y
2SA2154MFV-Y PDF预览

2SA2154MFV-Y

更新时间： 2024-11-14 13:02:35
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器PC
页数 文件大小 规格书
3页 136K
描述
TRANSISTOR 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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2SA2154MFV-Y 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.64
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.15 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
Base Number Matches：1

2SA2154MFV-Y 数据手册

 浏览型号2SA2154MFV-Y的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA2154MFV-Y的Datasheet PDF文件第3页 
2SA2154  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)  
2SA2154  
General-Purpose Amplifier Applications  
Unit: mm  
• High voltage and high current  
: VCEO = −50 V, IC = −100 mA (max)  
• Excellent h linearity  
FE  
: h (I = −0.1 mA)/h (I = −2 mA) = 0.95 (typ.)  
FE  
C
FE  
C
1
2
• High h  
FE  
h
FE  
= 120~400  
:
3
• Complementary to 2SC6026  
• Lead (Pb) free  
0.8±0.05  
1.0±0.05  
0.1±0.05  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
0.1±0.05  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
−50  
−50  
V
V
1.BASE  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
2.EMITTER  
3.COLLECTOR  
fSM  
−5  
V
I
−100  
−30  
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
JEDEC  
JEITA  
―
―
Base current  
I
B
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
50  
C
TOSHIBA  
2-1E1A  
T
j
150  
T
stg  
−55~150  
Weight: 0.0006 g (typ.)  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Collector cutoff current  
Symbol  
Test Condition  
E
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
I
I
V
V
V
= −50 V, I = 0  
⎯
⎯
⎯
−0.1  
µA  
µA  
⎯
CBO  
CB  
Emitter cutoff current  
= −5 V, I = 0  
⎯
120  
⎯
−0.1  
400  
−0.3  
⎯
EBO  
EB  
CE  
C
DC current gain  
h
(Note)  
= −6 V, I = −2 mA  
⎯
FE  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
V
I
C
= −100 mA, I = −10 mA  
−0.18  
⎯
V
CE (sat)  
B
f
V
CE  
V
CB  
= −10 V, I = −1 mA  
80  
⎯
MHz  
pF  
T
C
Collector output capacitance  
C
ob  
= −10 V, I = 0, f = 1 MHz  
1.6  
⎯
E
Note: h classification Y (F): 120~240, GR (H): 200~400  
FE  
(
) marking symbol  
Marking  
Type Name  
Rank  
h
FE  
8F  
1
2005-03-23  
123

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2SA2154MFV-Y 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SA1162-Y-TP MCC

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS C
2SA1015-Y(F) TOSHIBA

功能相似

 Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin TO-92

与2SA2154MFV-Y相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA2154MFV-Y(L3MAA TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA2154MFV-Y(L3MAT TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA2154MFV-Y(NHF) TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA2154MFV-Y,L3F TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor
2SA2154MFV-Y,L3F(B TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor
2SA2161G PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
2SA2161J PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SC-89,
2SA2162 PANASONIC

获取价格

 		Silicon PNP epitaxial planar type
2SA2163 PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 0.60 X
2SA2164 PANASONIC

获取价格

 		Silicon PNP epitaxial planar type For high-frequency amplification

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